基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型

基于C-MOSI的紅外輻射源，TO46型

描述

JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專(zhuān)為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法?；贑MOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體。

硅濾波器優(yōu)化了從紫外到15.5微米波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射輸出。

作為SMD封裝，JSIR340特別適合自動(dòng)拾放裝配和大批量生產(chǎn)。

我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個(gè)多層熱板膜片，內(nèi)含一個(gè)高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米，基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。

應(yīng)用

l非色散紅外氣體檢測(cè)

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標(biāo)氣體

l二氧化碳（CO2）

l甲烷（CH4）

l丙烷（C3H8）

l乙醇（C2H5OH）

l其他紅外活性氣體

特點(diǎn)

l成本效益高的組件

l標(biāo)準(zhǔn)MEMS技術(shù)

lCMOS兼容制造工藝

l有效的自動(dòng)化裝配工藝，采用SMD封裝

l熱板溫度高達(dá)740°C

l適當(dāng)?shù)妮椛漭敵?/span>

l由于熱質(zhì)量低，調(diào)制深度高

技術(shù)參數(shù)

1. 額定功率下的單位

2. 25°C - 700°C

3. 功率開(kāi)啟狀態(tài)

4. 帶有25Ω熱電阻

5. 環(huán)境溫度為25°C時(shí)

6. 通過(guò)紅外相機(jī)（0.7-1.1μm）測(cè)量的熱點(diǎn)溫度降低10%后的溫度分布平均值

7. 連續(xù)模式下，平均排除故障時(shí)間（MTTF）為63%（膜斷裂，基于阿倫尼烏斯定律的計(jì)算值）

8. 包括環(huán)境溫度

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機(jī)械制圖

TO39底部

SMD底部

截面圖-TO39 reflector open

截面圖-SMD with filter

產(chǎn)品概述