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簡(jiǎn)要描述：MPS4SENS熱釋電紅外探測(cè)器：傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(yīng)（優(yōu)化范圍為 3 - 5 µm）、高達(dá) 100 Hz 的調(diào)制頻率的高靈敏度、由于膜片質(zhì)量小而麥克風(fēng)效應(yīng)低、非常低的溫度依賴性以及以電流模式放大的信號(hào)。
產(chǎn)品品牌：Micro-Hybrid廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2026-02-27訪 問(wèn) 量：1155詳細(xì)介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
MPS4SENS熱釋電紅外探測(cè)器
MPS4SENS熱釋電紅外探測(cè)器
MPS4SENS 3C-1
MPS4SENS TEST
MPS4SENS NOX
MPS4SENS 3C-2
MPS4SENS anesthesia
高靈敏度的熱電四探測(cè)器允許同時(shí)測(cè)量一氧化碳（CO）（CWL：4650 ± 40 nm，HBW：180 ± 20 nm）、二氧化碳（CO2）（CWL：4265 ± 25 nm，HBW：120 ± 10 nm）和碳化合物（CWL：3400 ± 20 nm，HBW：140 ± 20 nm），并帶有參考通道（CWL：3910 ± 28 nm，HBW：70 ± 10 nm）。該探測(cè)器可在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度下用于航空航天、醫(yī)學(xué)、工業(yè)和環(huán)境技術(shù)中的眾多應(yīng)用。
Micro-Hybrid 是一家在 TO39 封裝中生產(chǎn)具有高性能膜的 4 通道熱電探測(cè)器的制造商。由于采用了由陶瓷熱電材料制成的薄膜膜片，MPS4SENS 3C-1 二氧化碳熱探測(cè)器實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 4.0*10^8 cm·Hz^(1/2)/W 的非常高探測(cè)度和高達(dá) 200,000 V/W 的靈敏度。Micro-Hybrid 的探測(cè)器設(shè)計(jì)使得讀出速率高達(dá) 100 Hz，以及響應(yīng)時(shí)間短，從而在 NDIR 氣體分析中提供可靠的測(cè)量結(jié)果。
傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(yīng)（優(yōu)化范圍為 3 - 5 µm）、高達(dá) 100 Hz 的調(diào)制頻率的高靈敏度、由于膜片質(zhì)量小而麥克風(fēng)效應(yīng)低、非常低的溫度依賴性以及以電流模式放大的信號(hào)。
MPS4SENS 3C-1 二氧化碳探測(cè)器作為標(biāo)準(zhǔn)版本有現(xiàn)貨供應(yīng)。我們的銷售團(tuán)隊(duì)將很樂(lè)意與您討論可能的個(gè)性化定制，以及大訂單量的分級(jí)價(jià)格。
NDIR 氣體分析
氣體監(jiān)測(cè)
更高的精度和信噪比
由于內(nèi)部信號(hào)放大，對(duì)外部干擾不敏感
由于低熱質(zhì)量，溫度波動(dòng)的影響較小
更高的讀出速率，高達(dá) 100 Hz
響應(yīng)時(shí)間短
高性能解決方案，適用于苛刻應(yīng)用
4片基于MEMS的CPM膜片
寬光譜靈敏度為2 – 15 µm，優(yōu)化范圍為3 - 5 µm
高響應(yīng)度，調(diào)制頻率高達(dá)100 Hz
由于膜片質(zhì)量小，麥克風(fēng)效應(yīng)低
非常低的溫度依賴性
以電流模式放大的信號(hào)
技術(shù)參數(shù) | 數(shù)據(jù) | 單位 |
有效面積 | 4 x (0.7 x 0.7) | mm2 |
相對(duì)孔徑 | 4 x (1.5 x 1.5) | mm2 |
模式 | Current | |
熱時(shí)間常數(shù) t(0-63%) | typ. 16 | ms |
電時(shí)間常數(shù) t(0-63%) | typ. 2 | ms |
交流靈敏度 1, 2, 3 | typ. 200 000 | V/W |
噪聲密度電壓 1 | typ. 50 | μV/Hz1/2 |
噪聲等效功率 NEP 1, 2, 3 | typ. 4 x | W/Hz1/2 |
特定探測(cè)度 D* 1, 2, 3 | typ. 4 x | cmHz1/2/W |
微音電壓 1 | typ. < 1000 | μV/g |
濾光片 | 請(qǐng)參見(jiàn)文件“Infrared filters"，可根據(jù)要求定制濾光片。 | |
工作電壓 VDD | +5 ± 10 % | V DC |
工作電壓 Voffset | +2,5 ± 10 % | V DC |
工作電流 | max. 10 | mA |
工作溫度 | -25 ... +85 | °C |
外殼 | TO39 | |
1. 在 Tamb = 25 °C，10 Hz，帶寬 1 Hz 下
2. 黑體 T = 500 K；E = 38 W/m2
3. 無(wú)窗口影響
等效電路圖
底部
頂部
截面圖
型號(hào) | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 高溫度 | 相對(duì)孔徑 | 氣體 |
PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-D2/E1/F1/G2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 3C with low CO? concentration |
PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-D2/E2/F1/G2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | 3C with low CO? concentration |
PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-I1/E1/M1/D2 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | Test |
PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-I1/L1/H1/D5 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | NOX |
PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-E1/K1/V1/W1 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 1.5 mm | Anesthesia |
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